報告說明:
博思數(shù)據(jù)發(fā)布的《2014-2019年中國肖特基二極管市場深度調(diào)研與投資前景研究報告》共十二章。首先介紹了中國肖特基二極管行業(yè)市場發(fā)展環(huán)境、中國肖特基二極管整體運(yùn)行態(tài)勢等，接著分析了 中國肖特基二極管行業(yè)市場運(yùn)行的現(xiàn)狀，然后介紹了中國肖特基二極管市場競爭格局。隨后，報告對中國肖特基二極管做了重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析，最后分析了中國 肖特基二極管行業(yè)發(fā)展趨勢與投資預(yù)測。您若想對肖特基二極管產(chǎn)業(yè)有個系統(tǒng)的了解或者想投資肖特基二極管行業(yè)，本報告是您不可或缺的重要工具。
從肖特基二極管行業(yè)大趨勢上來看，全球肖特基二極管行業(yè)發(fā)展趨于平穩(wěn)。各大廠商在規(guī)避風(fēng)險和應(yīng)對產(chǎn)業(yè)周期變化方面顯得更加成熟，通過科學(xué)的庫存管理維持行業(yè)的相對穩(wěn)定，因此，肖特基二極管行業(yè)周期性將逐漸弱化。而國內(nèi)的肖特基二極管行業(yè)由于其起點(diǎn)低、下游產(chǎn)業(yè)集中等特點(diǎn)，未來幾年里增長速度將大大高于全球平均水平，且波動幅度小于全球。
近年來，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。
SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個方面：
1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。
2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非�？�，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。
但是，由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管大。
資料來源：博思數(shù)據(jù)研究中心整理
目前亞洲是全球最大的肖特基二極管需求市場，2012年亞洲地區(qū)肖特基二極管需求占全球總量的46.4%；歐洲市場需求占比為21.9%；北美地區(qū)需求占比為20.7%。
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第一章 2013年全球肖特基二極管行業(yè)發(fā)展分析 1
第一節(jié) 2013年全球肖特基二極管行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 1
功率半導(dǎo)體器件在節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟(jì)起著重要作用。功率半導(dǎo)體器件根據(jù)能被驅(qū)動電路輸出控制信號所控制的程度，可將功率半導(dǎo)體器件分為不控型器件如肖特基二極管（SBD）、快恢復(fù)二極管等；半控型器件如可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）；全控型器件如靜電感應(yīng)晶體管（Static Induction Transistor，SIT）、大功率雙極型晶體管（GiantTransistor，GTR）等。
功率半導(dǎo)體器件按驅(qū)動信號類型分類：（1）電流驅(qū)動型功率半導(dǎo)體器件即通過在控制端注入或抽出電流來實(shí)現(xiàn)器件開關(guān)切換，如靜電感應(yīng)晶閘管（StaticInduction Transistor，SITH）、門極可關(guān)斷晶閘管（Gate.Turn.Off Thyristor，GTO）等。（2）電壓驅(qū)動型功率半導(dǎo)體器件即通過在控制端和另一引腳端加一定電壓信號來實(shí)現(xiàn)器件開關(guān)切換，如絕緣柵雙極晶體管（Insulated.gate Bipolar Transistor，IGBT）、MOS控制晶閘管（MOS-controlled Thyfistor，MCT）等。
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功率二極管是電路系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，廣泛適用于在高頻逆變器、數(shù)碼產(chǎn)品、發(fā)電機(jī)、電視機(jī)等民用產(chǎn)品和衛(wèi)星接收裝置、導(dǎo)彈及飛機(jī)等各種先進(jìn)武器控制系統(tǒng)和儀器儀表設(shè)備的軍用場合。功率二極管正向著兩個重要方向拓展：（1）向幾千萬乃至上萬安培發(fā)展，可應(yīng)用于高溫電弧風(fēng)洞、電阻焊機(jī)等場合；（2）反向恢復(fù)時間越來越短，呈現(xiàn)向超快、超軟、超耐用方向發(fā)展，使自身不僅用于整流場合，在各種開關(guān)電路中有著不同作用如緩沖、檢波等。為了滿足低功耗、高頻、高溫、小型化等應(yīng)用要求對其的耐壓、導(dǎo)通電阻、開啟壓降、反向恢復(fù)特性、高溫特性等越來越，功率二極管的發(fā)展也日新月異。
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最常用的兩種功率二極管是PIN二極管和肖特基勢壘二極管（Schottky barrier diode，SBD）。前者屬于雙極型器件，具有高擊穿電壓和低反向電流優(yōu)勢，由于少數(shù)載流子的注入有反向恢復(fù)過程；后者屬于多子器件或單極型器件，具有低導(dǎo)通壓降和高正向?qū)娏鲀?yōu)勢但自身耐壓低與漏流高特點(diǎn)。為了減小導(dǎo)通壓降從而減少自身損耗，提出了溝槽MOS勢壘肖特基整流器（TMaS），而且可用于太陽能電池旁路應(yīng)用。1994年B.J.Baliga等人提出一種肖特基結(jié)與PN結(jié)構(gòu)相結(jié)合的構(gòu)想解決了SBD的反向耐壓問題，這種結(jié)構(gòu)稱為結(jié)勢壘控制肖特基二極管（Junctionbarrier Schottky，JBS）。此外，混合整流二極管（Merged PIN/Sehottkydiode，MPS）IlSl與JBS結(jié)構(gòu)相似，但是正向?qū)ㄌ匦圆煌�，在正向偏壓下MPS中PN結(jié)是導(dǎo)通的而JBS中PN結(jié)是不導(dǎo)通的；兩者反向特性一致，均由隨電壓增加耗盡層的增加使相鄰耗盡層連接在一起，避免肖特基勢壘降低效應(yīng)。
一、肖特基勢壘二極管
從1874年德國物理學(xué)家Braum發(fā)現(xiàn)了金屬—半導(dǎo)體接觸導(dǎo)電特性存在非對稱性并展開對其研究。直到1938年德國物理學(xué)家Schottky利用肖特基勢壘理論即半導(dǎo)體內(nèi)存在穩(wěn)定均勻分布的空間電荷層而形成勢壘，解釋了金屬.半導(dǎo)體接觸非對稱性的導(dǎo)電特性，同年英國物理學(xué)家Mott設(shè)計了金屬.半導(dǎo)體接觸模型命名為Mott勢壘。美國物理學(xué)家Bethe在1942年對這兩種模型深入研究并提出了熱發(fā)射理論。隨著肖特基接觸基本理論日漸成熟，利用金屬.半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢壘原理制作的肖特基勢壘二極管研究漸漸升溫。20世紀(jì)80年代后隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，肖特基勢壘二極管的發(fā)展逐步走向成熟。
1、肖特基勢壘二極管的優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用
近年來隨著需求增長具有更高的工作頻率、更小的元胞尺寸和更低功耗的肖特基二極管的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。肖特基勢壘二極管的典型應(yīng)用包括整流電路、電源保護(hù)電路、電壓箝位電路等。此外，SBD的反向恢復(fù)時間比快恢復(fù)二極管或超快恢復(fù)二極管還要小，正向恢復(fù)過程中也不會有明顯的電壓過沖，因而它是高頻電路、超高速開關(guān)電路的理想器件。SBD有三個特點(diǎn)較為突出：（1）因為肖特基勢壘高度小于PN結(jié)勢壘高度，SBD的開啟電壓和導(dǎo)通壓降均比PiN二極管小，可以降低電路中的功率損耗較低水平；（2）SBD的結(jié)電容較低，它的工作頻率高達(dá)100GHz；（3）SBD是不存在少數(shù)載流子的注入因此它的開關(guān)速度更快，自身反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間。
此外與普通PiN結(jié)二極管相比，SBD使用不同金屬及不同工藝可得到最佳的肖特基勢壘高度使正向壓降和反向漏電流最優(yōu)折衷。這些因素使SBD在低壓、大電流電路領(lǐng)域受到極其重視。
2、肖特基勢壘二極管的發(fā)展現(xiàn)狀
近年來由于SBD的低導(dǎo)通壓降和極短反向恢復(fù)時間對電路系統(tǒng)效率提高引起了人們高度重視并應(yīng)用廣泛。硅基SBD的缺點(diǎn)：（1）隨著提高其反向耐壓增大它的導(dǎo)通壓降也增大，因此多用于200V以下的低壓場合；（2）它的反向漏電流較大且對溫度敏感，SBD的結(jié)溫在125℃到175℃之間，而PIN整流管是200℃。隨著半導(dǎo)體工藝成熟學(xué)者們進(jìn)一步突出SBD的優(yōu)點(diǎn)，提出了眾多新結(jié)構(gòu)來提高SBD的反向耐壓。
2008年東芝公司Johji Nishio等人將浮結(jié)應(yīng)用于SBD（FJ-SBD也稱super SBD）結(jié)合SiC材料優(yōu)越的電學(xué)特性，在相同外延層濃度、厚度時FJ-SBD比普通SBD耐壓提高且導(dǎo)通電阻下降，最終得到耐壓2700V，導(dǎo)通電阻2.57mΩ cm2，優(yōu)值為11.3G的FJ.SBD。由于超結(jié)（SJ）理論具有劃時代意義，2004年倫斯勒理工學(xué)院Lin Zhu等人將SJ應(yīng)用到4H-SiC SBD。2003年Cree公司Fabrizio Roccaforte等采用鎳硅化合物與Ti金屬和4H-SiC接觸形成高/低肖特基勢壘雙金屬溝槽結(jié)構(gòu)的SBD（DMT），DMT反向特性由高肖特基勢壘高度決定而正向特性類似于低肖特基接觸勢壘高度的SBD。為了改善SBD的反向特性，降低反向漏流，增加正反向電流比，印度理工學(xué)院Y.Singh和M.Jagadesh Kumar等人相繼提出了橫向混合雙金屬SBD（LMDS）、橫向溝槽SBD（LTSS），橫向雙金屬溝槽SBD（LDSS）。
注：（a）FJ-SBD；（b）SJ-SBD；（c）PSJ-SBD；（d）DMT；（e）LMDS
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除了上述之外，2006年加齊大學(xué)Gazi University對A1/Si02/pSi（MIS）肖特基勢壘二極管的結(jié)電容特性隨著溫度和頻率變化關(guān)系；同年Seong-JinKim提出了場限環(huán)和內(nèi)部環(huán)輔助保護(hù)環(huán)結(jié)終端的SiC SBD研制，耐壓達(dá)1650V。2007年巴庫國立大學(xué)I.M.Afandiyeva等人利用A1-Ti10W90.Si接觸研制SBD，給出了電流.電壓特性隨著表面態(tài)變化關(guān)系及物理模型。2009年塞爾丘克大學(xué)O.Faruk Ytiksel對A1/p-si（100）肖特基二勢壘極管溫度低于300K電流-電壓特性研究。2010年圖爾大學(xué)Olivier Mnard等人在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)Ni/GaN肖特基勢壘二極管在藍(lán)寶石襯底上研制，肖特基勢壘高度大約0.62～0.64eV，理想因子小于1.25。2011年土耳其Murat Soylu等人在金屬和半導(dǎo)體接觸之間加入一層有機(jī)化合物二氯熒光黃（DCF）層，經(jīng)研究表明A1/DCF/p.Si肖特基二勢壘極管的理想因子和肖特基勢壘高度均大于A1/p.Si肖特基二勢壘極管，并且A1/DCF/p.Si具有較低的界面態(tài)密度，受Poole.Frenkel效應(yīng)影響它的開啟電壓大約在0.4V。
二、結(jié)勢壘控制肖特基二極管
硅基SBD應(yīng)用范圍受限主要原因是自身的反向耐壓一般低于60V，最高僅約100V。因此一種增強(qiáng)型SBD即結(jié)勢壘控制肖特基二極管的研究更為熱點(diǎn)，2004年APT公司推出了首個250V硅基JBS；2006年英飛凌將600V SiC JBS商業(yè)化，伴隨碳化硅材料加工及工藝的漸近穩(wěn)定，使得功率肖特基二極管應(yīng)用領(lǐng)域提高到lkV。所以JBS研究與生產(chǎn)是十分必要，推動著功率市場發(fā)展。
1、結(jié)勢壘控制肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)及應(yīng)用
具有大電流、高反向耐壓、開關(guān)速度快、抗浪涌電流強(qiáng)等特點(diǎn)的結(jié)勢壘控制肖特基二極管適合高頻功率電源、汽車電器、醫(yī)療電子設(shè)備、航天功率系統(tǒng)等領(lǐng)域。JBS結(jié)構(gòu)典型特點(diǎn)是在SBD的外延層上集成多個PN結(jié)呈現(xiàn)梳狀。JBS在零偏和正偏時肖特基接觸部分導(dǎo)通，PN結(jié)部分不導(dǎo)通；JBS在反偏時PN結(jié)耗盡區(qū)展寬以致夾斷電流通道有效抑制肖特基勢壘降低效應(yīng)。所以JBS的突出優(yōu)點(diǎn)是擁有肖特基勢壘二極管的通態(tài)和快速開關(guān)特性，還有P.i-N二極管的關(guān)態(tài)和低泄漏電流特性。JBS己成為一種耐高壓和高溫、高速的理想開關(guān)管，將得到廣泛應(yīng)用，與碳化硅材料相結(jié)合是當(dāng)前二極管開拓潮流。
2、結(jié)勢壘控制肖特基二極管的現(xiàn)狀
世界各國半導(dǎo)體公司瞄準(zhǔn)結(jié)勢壘控制肖特基二極管的巨大商機(jī)，且對JBS的研究、實(shí)現(xiàn)、上市啟了推動作用。2002年新電元電器制造有限公司研發(fā)中心S.Kunori等人利用多級降低表面電場技術(shù)實(shí)現(xiàn)了正向電流密度為導(dǎo)通壓降為0.62V，反向耐壓為130V開啟電壓僅0.17V的硅基MR-JBS；同年聯(lián)合國碳化硅公司J.H.Zhao將多結(jié)終端擴(kuò)展用于JBS，器件面積為2.82mm2，特征導(dǎo)通電阻為8.7mΩcm2，高正向電流密度、低反向電流密度的1.5KV 4H-SiC JBS；這一年Cree公司Ranbir Singh和其他研究人員對JBS版圖優(yōu)化設(shè)計得到1500V/4A的4H-SiC JBS，并證明其反向恢復(fù)特性遠(yuǎn)比硅PiN二極管好，將其用于硬開關(guān)電路時自身和主開關(guān)工作狀態(tài)切換損耗均降低mJ。2008年Cree公司Brett A.Hull等人在120μm厚的外延層上研制了大面積（8.3mmxl0.6mm）的4H-SiC耐壓高達(dá)10kV，正向偏置3.5V時具有10A導(dǎo)通電流。2009年東芝公司Kazuto Takao將碳化硅IEMOSFET和JBS用于SiC功率模塊，根據(jù)器件結(jié)溫和電流密度及其開關(guān)頻率參數(shù)說明了SiC器件降低功耗特性。
此外，國外學(xué)者對JBS的結(jié)構(gòu)、工作原理研究已經(jīng)很成熟。2005年倫斯勒理工學(xué)院Lin Zhu等人提出具有低反向漏流高開關(guān)速度的橫向溝道的JBS，導(dǎo)通壓降小于1.8V，反向耐壓達(dá)1.5kV，且結(jié)電容相比普通結(jié)構(gòu)下降了50%。2006年Lin Zhu等人在退火時候利用A1N電容降低表面缺陷，達(dá)到降低JBS的導(dǎo)通壓降和反向漏流目的，最終得到lkV 4H-SiC JBS。2007年西班牙國家微電子中心Pierre Brosselard在不同溫度下1.2kV的Si PiN和SiC JBS靜態(tài)和動態(tài)性能比較，兩者最高工作溫度分別為200℃和300℃。2008年西班牙國家微電子中心Pierre Brosselard等人在相同的技術(shù)使用兩個不同的版圖得到具有低反向漏電流高浪涌電流能力的1.2kV和3.5kV 4H-SiC JBS，在500V和300℃條件下1.2kV和3.5kV 4H-SiC JBS反向漏電流分別為100nA和100μA。
2009年卡耐基梅隆大學(xué)R.A.Berechman等人利用紅外顯微鏡，電子束感應(yīng)電流，電致發(fā)光，和透射電子顯微鏡和導(dǎo)通特性說明了JBS結(jié)構(gòu)缺陷，并利用熱成像方式觀測JBS內(nèi)部熱斑出現(xiàn)位置。2010年塔林理工大學(xué)Ants Koel等人對多場限環(huán)4H—SiC JBS擊穿特性利用Silvaco軟件仿真表明了其擊穿時電勢、電場、多數(shù)載流子分布情況。2011年羅格斯大學(xué)R.Radhakrishnan等人在工藝不變情況下同一芯片上集成碳化硅垂直結(jié)型場效應(yīng)晶體管和JBS應(yīng)用于834V電源開關(guān)電路，這里JBS用作高電壓的集成電源開關(guān)的續(xù)流二極管，在反向過程中可起到同步整流作用，明顯降低傳導(dǎo)損耗。
國內(nèi)由于起步較晚，2009年蘭州大學(xué)岳紅菊設(shè)計5A/200V硅基JBS；同年專用集成電路國家重點(diǎn)實(shí)驗室閏銳等人研究了退火溫度對4H-SiC SBD和JBS的正反向電流一電壓特性的影響。2010年南京電子器件研究所單片集成電路和模塊國家重點(diǎn)實(shí)驗室倪煒江等人研制成功的耐250℃高溫1200V 4H—SiC JBS比硅超快二極管的反向恢復(fù)電流峰值減小81%。2010年西安電子科技大學(xué)張義門等人將外延層中嵌入一次P-Layer構(gòu)成JBS-EPL結(jié)構(gòu)，與普通結(jié)構(gòu)相比不僅芯片面積和功耗減小而且反向耐壓增加了44%；同年該校陳豐平得到高于400V擁有場限環(huán)結(jié)終端的JBS研制。2011年杭州電子科技大學(xué)張海鵬等人為了改善正向?qū)ㄌ匦蕴岢隽藴喜跴型JBS，其導(dǎo)通壓降和反向耐壓比普通JBS略有降低但導(dǎo)通電阻降低了38.7%：同年西安電子科技大學(xué)黃華健對JBS的終端及JBS-EPL深入研究；這一年陳豐平等人實(shí)現(xiàn)了工作溫度高達(dá)200℃特征導(dǎo)通電阻8.3mΩcm2，耐壓為500V的4H-SiC JBS。
第二節(jié) 2013年全球肖特基二極管行業(yè)主要品牌 8
一、全球肖特基二極管行業(yè)主要品牌 8
目前，全球以Cree、Infineon、Semisouth、Microsemi等為代表的知名企業(yè)在肖特基二極管高端產(chǎn)品市場占據(jù)著領(lǐng)先地位。
2012 年11 月21 日，致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（ Microsemi Corporation） 推出采用碳化硅（ SiC） 材料和技術(shù)的全新1 200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車輛充電、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其他大功率高壓應(yīng)用。
根據(jù)報告：2012年2月Cree發(fā)布封裝式 1700-V SiC 碳化硅肖特基二極管，其產(chǎn)品線涉及600、1200、1700 V。
資料來源：公司年報
地區(qū) | 廠商 |
國外 | IR、ST、Fairchild、On Semi、Infineon、Cree、Microsemi、Semisouth |
中國臺灣 | 強(qiáng)茂半導(dǎo)體股份有限公司、臺灣半導(dǎo)體股份有限公司、福昌半導(dǎo)體股份有限公司 |
中國大陸 | 濟(jì)南晶恒、天水天光半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、上海新進(jìn)、立立電子 |
二、全球肖特基二極管行業(yè)主要品牌市場占有率格局 9
第三節(jié) 2013年全球肖特基二極管行業(yè)供求情況 10
一、2009-2013年全球肖特基二極管行業(yè)產(chǎn)量情況 10
二、2009-2013年全球肖特基二極管行業(yè)需求情況 11
目前亞洲是全球最大的肖特基二極管需求市場，2012年亞洲地區(qū)肖特基二極管需求占全球總量的46.4%；歐洲市場需求占比為21.9%；北美地區(qū)需求占比為20.7%。
三、2009-2013年全球肖特基二極管行業(yè)市場規(guī)模 11
第四節(jié) 2014-2019年全球肖特基二極管行業(yè)發(fā)展趨勢（需求市場規(guī)模）分析 12
第二章 2013年中國肖特基二極管產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境分析 13
第一節(jié) 2013年中國宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境分析 13
一、GDP歷史變動軌跡分析 13
二、固定資產(chǎn)投資歷史變動軌跡分析 20
三、2007-2013年中國城市化率變化 23
四、2007-2013年中國居民（消費(fèi)者）收入情況 23
五、2014年中國宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)展預(yù)測分析 28
第二節(jié) 肖特基二極管行業(yè)主管部門、行業(yè)監(jiān)管體 35
第三節(jié) 中國肖特基二極管行業(yè)相關(guān)法律法規(guī)及政策 36
一、國家“十二五”相關(guān)行業(yè)規(guī)劃 36
二、相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策 36
三、出口關(guān)稅政策 36
第四節(jié) 2013年中國肖特基二極管產(chǎn)業(yè)社會環(huán)境發(fā)展分析 37
一、人口環(huán)境分析 37
二、教育環(huán)境分析 38
三、文化環(huán)境分析 42
四、生態(tài)環(huán)境分析 43
第三章 2013年中國肖特基二極管產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 45
第一節(jié) 肖特基二極管行業(yè)的有關(guān)概況 45
一、肖特基二極管的定義 45
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是問世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流電流卻可達(dá)到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復(fù)二極管所無法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。
應(yīng)用
SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機(jī)中被廣泛采用。
除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數(shù)等。
原理
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變�。环粗�，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。
綜上所述，肖特基整流管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大的區(qū)別通常將PN結(jié)整流管稱作結(jié)整流管，而把金屬-半導(dǎo)管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。
優(yōu)點(diǎn)
SBD具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC）電路中功率開關(guān)器件的續(xù)流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等，只有使用快速恢復(fù)外延二極管（FRED）和超快速恢復(fù)二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復(fù)時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領(lǐng)域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關(guān)為100kHz的SMPS，由于UFRD的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發(fā)展趨勢。因此，發(fā)展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關(guān)注的熱點(diǎn)。近幾年，SBD已取得了突破性的進(jìn)展，150V和 200V的高壓SBD已經(jīng)上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應(yīng)用注入了新的生機(jī)與活力。
缺點(diǎn)
肖特基二極體最大的缺點(diǎn)是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實(shí)務(wù)設(shè)計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實(shí)際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術(shù)也已有了進(jìn)步，其反向偏壓的額定值最大可以到200V。
二、肖特基二極管行業(yè)的特點(diǎn) 48
從肖特基二極管行業(yè)大趨勢上來看，全球肖特基二極管行業(yè)發(fā)展趨于平穩(wěn)。各大廠商在規(guī)避風(fēng)險和應(yīng)對產(chǎn)業(yè)周期變化方面顯得更加成熟，通過科學(xué)的庫存管理維持行業(yè)的相對穩(wěn)定，因此，肖特基二極管行業(yè)周期性將逐漸弱化。而國內(nèi)的肖特基二極管行業(yè)由于其起點(diǎn)低、下游產(chǎn)業(yè)集中等特點(diǎn)，未來幾年里增長速度將大大高于全球平均水平，且波動幅度小于全球。
近年來，采用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，這不僅可節(jié)省貴金屬，大幅度降低成本，還改善了參數(shù)的一致性。
SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個方面：
1）由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低0.2V）。
2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非�？�，開關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。
但是，由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結(jié)二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結(jié)二極管大。
第二節(jié) 肖特基二極管的產(chǎn)業(yè)鏈情況 49
一、產(chǎn)業(yè)鏈模型介紹 49
二、肖特基二極管行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈分析 51
第三節(jié) 上下游行業(yè)對肖特基二極管行業(yè)的影響分析 52
第四章 2013年中國肖特基二極管行業(yè)技術(shù)發(fā)展分析 53
第一節(jié) 中國肖特基二極管行業(yè)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀 53
第二節(jié) 肖特基二極管行業(yè)技術(shù)特點(diǎn)（工藝流程或技術(shù)）分析 53
第三節(jié) 肖特基二極管行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢分析 61
第五章 2013年中國肖特基二極管產(chǎn)業(yè)運(yùn)行情況 63
第一節(jié) 中國肖特基二極管行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r 63
一、2007-2013年肖特基二極管行業(yè)市場供給分析 63
我國的肖特基二極管行業(yè)起步于20世紀(jì)80年代末期，發(fā)展時期不長，技術(shù)水平不高，競爭層次偏低。近年來隨著國內(nèi)電子工業(yè)的發(fā)展和世界電子制造業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移，肖特基二極管行業(yè)規(guī)模和企業(yè)數(shù)量都快速增長，但境外品牌的肖特基二極管廠商超過半數(shù)，在中高端產(chǎn)品中具有明顯優(yōu)勢。我國本土肖特基二極管生產(chǎn)企業(yè)銷售規(guī)模普遍偏小，絕大多數(shù)企業(yè)年銷售金額在人民幣1，000萬元以下。
2012年中國大陸地區(qū)的肖特基二極管制造商有1百多家，其中外商投資及港、臺廠商50多家，本土制造商100 多家，主要分布于長江三角洲、珠江三角洲地區(qū)和環(huán)渤海地區(qū)。2012年我國肖特基二極管行業(yè)產(chǎn)量約562億只。近幾年我國肖特基二極管行業(yè)產(chǎn)量情況如下圖所示：
二、2007-2013年肖特基二極管行業(yè)市場需求分析 64
我國生產(chǎn)的軍品級和工業(yè)品級的肖特基系列產(chǎn)品，已廣泛應(yīng)用于航空、航天設(shè)備、計算機(jī)設(shè)備、通訊設(shè)備等領(lǐng)域。能用于高速開關(guān)電路，低壓高頻整流電路，信號檢波、混頻電路，IC& MOS靜電保護(hù)電路，供電電源隔離電路和極性保護(hù)電路。整機(jī)產(chǎn)品如開關(guān)電源、電子變壓器、傳感器、電話機(jī)等。
肖特基二極管行業(yè)對終端應(yīng)用領(lǐng)域的變化反應(yīng)靈敏，應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)品市場的成長，能有力推動肖特基二極管行業(yè)的市場發(fā)展，同時應(yīng)用領(lǐng)域技術(shù)的先進(jìn)性和研發(fā)投入也將影響肖特基二極管行業(yè)的技術(shù)發(fā)展水平。
2012年我國肖特基二極管行業(yè)需求量約528億只，同比2011年的460億只，增長14.78%，近幾年我國肖特基二極管行業(yè)需求量情況如下圖所示：
在今后的幾年中，隨著汽車電子、通訊、電力產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展及零部件國產(chǎn)化呼聲的日益高漲，由此會帶動所需的肖特基二極管產(chǎn)品需求的提升，而開關(guān)電源等產(chǎn)品隨著市場飽和度的提高對肖特基二極管的需求將平穩(wěn)地回落。
三、2007-2013年肖特基二極管行業(yè)市場規(guī)模分析 65
第二節(jié) 中國肖特基二極管行業(yè)集中度分析 65
一、行業(yè)市場區(qū)域分布情況 65
我國肖特基二極管行業(yè)消費(fèi)市場區(qū)域主要分布在電子信息、通信產(chǎn)業(yè)以及汽車工業(yè)、設(shè)備生產(chǎn)等集中在地區(qū)。2012年我國肖特基二極管行業(yè)消費(fèi)區(qū)域分布如下圖所示：
二、行業(yè)市場集中度情況 66
三、行業(yè)企業(yè)集中度分析 67
第六章 2011-2013年中國肖特基二極管市場運(yùn)行情況 68
第一節(jié) 行業(yè)最新動態(tài)分析 68
一、行業(yè)相關(guān)動態(tài)概述 68
一、英飛凌推出性能改進(jìn)的第三代碳化硅肖特基二極管
德國Neubiberg和美國華盛頓特區(qū)訊——率先推出碳化硅（SiC）肖特基二極管的功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)先供應(yīng)商英飛凌科技股份有限公司（FSE/NYSE：IFX），在應(yīng)用電源電子大會暨展覽會（APEC）上推出第三代thinQ!?SiC肖特基二極管。全新thinQ!二極管在任何額定電流條件下都具備業(yè)界最低的器件電容，可在高開關(guān)頻率和輕負(fù)載條件下提升整個系統(tǒng)的效率，從而幫助降低電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)成本。此外，英飛凌推出的第三代SiC肖特基二極管是業(yè)界種類最為齊全的碳化硅肖特基二極管系列，不僅包括TO-220封裝（真正的雙管腳版本）產(chǎn)品，還包括面向高功率密度表面貼裝設(shè)計的DPAK封裝產(chǎn)品。
SiC肖特基二極管的主要應(yīng)用領(lǐng)域是開關(guān)模式電源（SMPS）的有源功率因數(shù)校正（CCMPFC）和太陽能逆變器與電機(jī)驅(qū)動器等其他AC/DC和DC/DC電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
相對于第二代產(chǎn)品，英飛凌全新的SiC肖特基二極管的器件電容降低約40%，因此減少了開關(guān)損耗。例如，工作頻率為250kHz的1kW功率因數(shù)校正級在20%負(fù)載條件下整體能效將提高0.4%。更高的開關(guān)頻率允許使用成本更低、更小的無源組件（如電感和電容器），實(shí)現(xiàn)更高功率密度設(shè)計。更低的功耗也降低了對散熱器和風(fēng)扇的尺寸和數(shù)量要求，從而降低系統(tǒng)成本，提高可靠性。英飛凌期望將某些SMPS應(yīng)用的系統(tǒng)成本降低20%。
英飛凌工業(yè)及多元化電子市場部高壓MOS業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人AndreasUrschitz指出：“英飛凌在全球范圍內(nèi)率先提供SiC肖特基二極管，于2001年推出首批產(chǎn)品。近8年來，英飛凌在多個方面對碳化硅肖特基二極管技術(shù)進(jìn)行了眾多重大改進(jìn)，例如浪涌電流穩(wěn)定性、開關(guān)性能和產(chǎn)品成本，使SiC技術(shù)惠及更多應(yīng)用，并且降低了解決方案成本。SiC是一種真正的創(chuàng)新技術(shù)，有助于對抗全球氣候變化，推動太陽能和節(jié)能照明系統(tǒng)市場發(fā)展。它充分說明了英飛凌在電源管理市場的領(lǐng)導(dǎo)地位和致力于在該市場發(fā)展的堅定承諾。”
供貨、封裝與定價
英飛凌第三代thinQ!SiC肖特基二極管提供采用TO-220和DPAK封裝的600V（3A、4A、5A、6A、8A、9A、10A和12A）產(chǎn)品和采用TO-220封裝的1200V產(chǎn)品（2A、5A、8A、10A和15A）。產(chǎn)品樣品于2009年1月開始提供，預(yù)計在2009年早春開始批量生產(chǎn)。阻斷電壓為600V（3A）的第三代SiC肖特基二極管在訂購量達(dá)到萬片時的單價為0.61歐元（0.85美元）。電流為4A的產(chǎn)品在訂購量達(dá)到萬片時的單價為0.85歐元（1.19美元），電流為8A的產(chǎn)品在訂購量達(dá)到萬片時的單價為1.89歐元（2.65美元）。
二、我國科學(xué)家研制出太赫茲肖特基二極管及電路
中國科學(xué)院微電子研究所微波器件與集成電路研究室太赫茲器件研究組研制出截止頻率達(dá)到3.37THz的太赫茲肖特基二極管和應(yīng)用于太赫茲頻段的石英電路。該器件作為太赫茲倍頻器核心元件，經(jīng)中電集團(tuán)41所驗證，性能與國際同類產(chǎn)品相當(dāng)。
據(jù)了解，太赫茲波指的是頻率在0.1THz至10.0THz范圍的電磁波，被美國評為“改變未來世界的十大技術(shù)”之一。它在安全檢查、無損探測、天體物理、生物以及軍事科學(xué)等諸多科學(xué)領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。具有極高截止頻率的肖特基二極管能夠在室溫下實(shí)現(xiàn)太赫茲波的混頻、探測和倍頻，是太赫茲核心技術(shù)之一。
由微電子所研究員金智領(lǐng)導(dǎo)的研究組針對太赫茲電路的關(guān)鍵技術(shù)開展研究，突破多項關(guān)鍵制作工藝，有效地降低了器件的串聯(lián)電阻和寄生電容，實(shí)現(xiàn)了可在太赫茲頻段應(yīng)用的肖特基二極管，其最高截止頻率達(dá)到3.37THz，可廣泛應(yīng)用于太赫茲波的檢測、倍頻和混頻。
此外，為解決太赫茲頻段下外圍電路損耗高的問題，研究人員還研制出厚度小于50微米，可應(yīng)用于太赫茲頻段的核心電路，極大地減小了在太赫茲頻段的損耗，提高了電路模塊的效率。
三、inear推出集成升壓和肖特基二極管的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器
凌力爾特公司推出 2A、36V 降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 LT3681，該器件可以突發(fā)模式（Burst Mode）工作，以保持靜態(tài)電流低于 50uA。LT3681 在 3.6V 至 34V 的 VIN 范圍內(nèi)工作，具有高達(dá) 36V 的瞬態(tài)保護(hù)，非常適用于汽車應(yīng)用中的負(fù)載突降和冷車發(fā)動情況。其 3.2A 內(nèi)部開關(guān)在電壓低至 1.26V 時可以提供高達(dá) 2A 的連續(xù)輸出電流。該器件集成了肖特基二極管和升壓二極管，可組成汽車與電信應(yīng)用所需的非常緊湊占板面積解決方案。LT3681 的突發(fā)模式工作可實(shí)現(xiàn)超低靜態(tài)電流，非常適用于汽車或電信系統(tǒng)應(yīng)用，這類應(yīng)用需要始終保持接通工作和最佳電池工作時間。開關(guān)頻率從 300kHz 至 2.8MHz 是用戶可編程的，使設(shè)計師能夠優(yōu)化效率，同時避開關(guān)鍵噪聲敏感頻段。其 3mm x 4mm DFN-10 封裝、集成的二極管和高開關(guān)頻率允許使用小的外部電感器和電容器，因此該器件可組成占板面積緊湊的高熱效率解決方案。
LT3681 采用高效率 3.2A、360mVCESAT 開關(guān)，必需的升壓二極管、肖特基二極管、振蕩器、控制和邏輯電路都集成到了一個 DFN 封裝中。低紋波突發(fā)模式工作在低輸出電流時維持高效率，同時保持輸出紋波低于 15mVPK-PK。
特殊設(shè)計方法在寬輸入電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了高效率，而且該器件的電流模式拓?fù)浯_�？焖偎矐B(tài)響應(yīng)和卓越的環(huán)路穩(wěn)定性。LT3681 還具有電源良好標(biāo)志和軟啟動功能。
四、美高森美公司推出全新1200V肖特基二極管系列
美高森美公司（Microsemi Corporation） 推出采用碳化硅（SiC）材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車輛充電、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高壓應(yīng)用。
與硅（Si）材料相比，碳化硅（SiC）材料具有多項優(yōu)勢，包括較高的擊穿場強(qiáng)度和更好的導(dǎo)熱性，這些特性可讓設(shè)計人員創(chuàng)建具有更好性能特性的器件，包括零反向恢復(fù)、不受溫度影響特性、較高的電壓能力，以及較高的工作溫度，從而達(dá)到新的性能、效率和可靠性水平。
除了SiC二極管器件固有的優(yōu)勢之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片，背部可焊接的D3 封裝SiC 肖特基二極管的制造商，允許設(shè)計人員達(dá)到更高的功率密度和較低的制造成本。
美高森美公司功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Russell Crecraft表示：“我們利用超過25年的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計和制造專有技術(shù)，推出具有無與倫比的性能、可靠性和總體質(zhì)量水平的SiC二極管系列。下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要更高的功率密度、更高的工作頻率和更高的效率，而美高森美新的碳化硅器件能夠幫助系統(tǒng)設(shè)計人員滿足這些需求。”
全新1200V SiC 肖特基二極管產(chǎn)品陣容包括：
• APT10SCD120BCT （1200V、10A、共陰極TO-247封裝）
• APT20SCD120B （1200V、20A、TO-247封裝）
• APT30SCD120B （1200V、30A、TO-247封裝）
• APT20SCD120S （1200V、20A、D3 封裝）
• APT30SCD120S （1200V、30A、D3 封裝）
美高森美新型SiC 肖特基二極管現(xiàn)已量產(chǎn)。
二、行業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)聚焦 71
第二節(jié) 行業(yè)品牌現(xiàn)狀分析 78
第三節(jié) 行業(yè)產(chǎn)品市場價格情況 80
第四節(jié) 行業(yè)外資進(jìn)入現(xiàn)狀及對未來市場的威脅 81
第七章 2010-2013年中國肖特基二極管所屬行業(yè)主要數(shù)據(jù)監(jiān)測分析 82
第一節(jié) 2010-2013年中國肖特基二極管所屬行業(yè)總體數(shù)據(jù)分析 82
一、2010年中國肖特基二極管所屬行業(yè)全部企業(yè)數(shù)據(jù)分析 82
二、2011年中國肖特基二極管所屬行業(yè)全部企業(yè)數(shù)據(jù)分析 84
三、2013年中國肖特基二極管所屬行業(yè)全部企業(yè)數(shù)據(jù)分析 85
第二節(jié) 2010-2013年中國肖特基二極管所屬行業(yè)不同規(guī)模企業(yè)數(shù)據(jù)分析 87
一、2010年中國肖特基二極管所屬行業(yè)不同規(guī)模企業(yè)數(shù)據(jù)分析 87
二、2011年中國肖特基二極管所屬行業(yè)不同規(guī)模企業(yè)數(shù)據(jù)分析 88
三、2013年中國肖特基二極管所屬行業(yè)不同規(guī)模企業(yè)數(shù)據(jù)分析 88
第三節(jié) 2010-2013年中國肖特基二極管所屬行業(yè)不同所有制企業(yè)數(shù)據(jù)分析 89
一、2010年中國肖特基二極管所屬行業(yè)不同所有制企業(yè)數(shù)據(jù)分析 89
二、2011年中國肖特基二極管所屬行業(yè)不同所有制企業(yè)數(shù)據(jù)分析 89
三、2013年中國肖特基二極管所屬行業(yè)不同所有制企業(yè)數(shù)據(jù)分析 90
第八章 2013年中國肖特基二極管行業(yè)競爭情況 91
第一節(jié) 行業(yè)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)分析 91
一、贏利性 91
二、附加值的提升空間 91
三、進(jìn)入壁壘／退出機(jī)制 92
四、行業(yè)周期 93
第二節(jié) 行業(yè)競爭結(jié)構(gòu)分析 94
一、現(xiàn)有企業(yè)間競爭 94
二、潛在進(jìn)入者分析 94
三、替代品威脅分析 94
四、供應(yīng)商議價能力 95
五、客戶議價能力 95
購買者主要通過其壓價與要求提供較高的產(chǎn)品或服務(wù)質(zhì)量的能力，來影響行業(yè)中現(xiàn)有企業(yè)的盈利能力。對肖特基二極管產(chǎn)品購買者分析如下表所示。
顧客的特征 | 分析結(jié)果及說明 |
購買批量 | 購買批量數(shù)量較大，由于顧客情況多樣，購買批量大小不一，大公司對產(chǎn)品購買批量大，購買較穩(wěn)定 |
對信息的了解 | 信息技術(shù)的應(yīng)用和電子商務(wù)的發(fā)展，使信息更加透明，賣方的信息是更加完全的 |
最終產(chǎn)品性能的影響 | 肖特基二極管產(chǎn)品性能對用戶使用的正常與否極為重要 |
產(chǎn)品成本占顧客總成本的比例 | 產(chǎn)品成本占顧客總成本的比例較低 |
價格 | 顧客對產(chǎn)品價格關(guān)注度較高 |
通過上表中的分析，綜合來看肖特基二極管產(chǎn)品的用戶的討價還價能力較為一般，但隨著肖特基二極管產(chǎn)品生產(chǎn)廠商競爭的加劇，用戶的討價還價能力正在不斷提高。
第三節(jié) 行業(yè)國際競爭力比較 96
第九章 2013年肖特基二極管行業(yè)重點(diǎn)生產(chǎn)企業(yè)分析 98
第一節(jié) 蘇州固锝電子股份有限公司 （002079） 98
一、企業(yè)簡介 98
二、企業(yè)經(jīng)營數(shù)據(jù) 99
三、企業(yè)產(chǎn)品分析 103
第二節(jié) 北京科銳配電自動化股份有限公司 （002350） 104
一、企業(yè)簡介 104
二、企業(yè)經(jīng)營數(shù)據(jù) 104
三、企業(yè)產(chǎn)品分析 108
第三節(jié) 吉林華微電子股份有限公司 （600360） 109
一、企業(yè)簡介 109
二、企業(yè)經(jīng)營數(shù)據(jù) 109
三、企業(yè)產(chǎn)品分析 113
第四節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司 （002129） 114
一、企業(yè)簡介 114
二、企業(yè)經(jīng)營數(shù)據(jù) 115
三、企業(yè)產(chǎn)品分析 119
第五節(jié) 杭州士蘭微電子股份有限公司 （600460） 119
一、企業(yè)簡介 119
二、企業(yè)經(jīng)營數(shù)據(jù) 120
三、企業(yè)產(chǎn)品分析 124
第十章 2014-2019年肖特基二極管行業(yè)發(fā)展預(yù)測分析 125
第一節(jié) 2014-2019年中國肖特基二極管行業(yè)未來發(fā)展預(yù)測分析 125
一、中國肖特基二極管行業(yè)發(fā)展方向及投資機(jī)會分析 125
二、2014-2019年中國肖特基二極管行業(yè)發(fā)展規(guī)模分析 126
三、2014-2019年中國肖特基二極管行業(yè)發(fā)展趨勢分析 127
第二節(jié) 2014-2019年中國肖特基二極管行業(yè)供需預(yù)測 127
一、2014-2019年中國肖特基二極管行業(yè)供給預(yù)測 127
二、2014-2019年中國肖特基二極管行業(yè)需求預(yù)測 128
第三節(jié) 2014-2019年中國肖特基二極管行業(yè)價格走勢分析 128
第十一章 2014-2019年中國肖特基二極管行業(yè)投資風(fēng)險預(yù)警 130
第一節(jié) 中國肖特基二極管行業(yè)存在問題分析 130
第二節(jié) 中國肖特基二極管行業(yè)政策投資風(fēng)險 131
一、政策和體制風(fēng)險 131
二、技術(shù)發(fā)展風(fēng)險 131
三、市場競爭風(fēng)險 131
四、原材料壓力風(fēng)險 132
五、經(jīng)營管理風(fēng)險 132
第十二章 2014-2019年中國肖特基二極管行業(yè)發(fā)展策略及投資建議 133
第一節(jié) 肖特基二極管行業(yè)發(fā)展策略分析 133
一、堅持產(chǎn)品創(chuàng)新的領(lǐng)先戰(zhàn)略 133
二、堅持品牌建設(shè)的引導(dǎo)戰(zhàn)略 133
三、堅持工藝技術(shù)創(chuàng)新的支持戰(zhàn)略 133
四、堅持市場營銷創(chuàng)新的決勝戰(zhàn)略 134
五、堅持企業(yè)管理創(chuàng)新的保證戰(zhàn)略 134
第二節(jié) 肖特基二極管行業(yè)市場的重點(diǎn)客戶戰(zhàn)略實(shí)施 134
一、實(shí)施重點(diǎn)客戶戰(zhàn)略的必要性 134
二、合理確立重點(diǎn)客戶 135
三、對重點(diǎn)客戶的營銷策略 136
四、強(qiáng)化重點(diǎn)客戶的管理 136
五、實(shí)施重點(diǎn)客戶戰(zhàn)略要重點(diǎn)解決的問題 137
第三節(jié) 博思數(shù)據(jù)投資建議 139
一、重點(diǎn)投資區(qū)域建議 139
二、重點(diǎn)投資產(chǎn)品建議 139
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