2018-2023年中國(guó)三氟化氮(NF3)市場(chǎng)分析與投資前景研究報(bào)告

報(bào)告說(shuō)明:
    博思數(shù)據(jù)發(fā)布的《2018-2023年中國(guó)三氟化氮(NF3)市場(chǎng)分析與投資前景研究報(bào)告》介紹了三氟化氮(NF3)行業(yè)相關(guān)概述、中國(guó)三氟化氮(NF3)產(chǎn)業(yè)運(yùn)行環(huán)境、分析了中國(guó)三氟化氮(NF3)行業(yè)的現(xiàn)狀、中國(guó)三氟化氮(NF3)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局、對(duì)中國(guó)三氟化氮(NF3)行業(yè)做了重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況分析及中國(guó)三氟化氮(NF3)產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景與投資預(yù)測(cè)。您若想對(duì)三氟化氮(NF3)產(chǎn)業(yè)有個(gè)系統(tǒng)的了解或者想投資三氟化氮(NF3)行業(yè)，本報(bào)告是您不可或缺的重要工具。
    三氟化氮在常溫下是一種無(wú)色、無(wú)臭、性質(zhì)穩(wěn)定的氣體，是一種強(qiáng)氧化劑。三氟化氮在微電子工業(yè)中作為一種優(yōu)良的等離子蝕刻氣體，在離子蝕刻時(shí)裂解為活性氟離子，這些氟離子對(duì)硅和鎢化合物，高純?nèi)�氟化氮具有�?yōu)異的蝕刻速率和選擇性（對(duì)氧化硅和硅），它在蝕刻時(shí)，在蝕刻物表面不留任何殘留物，是非常良好的清洗劑，同時(shí)在芯片制造、高能激光器方面得到了大量的運(yùn)用。
    nf3，第2.2類(lèi)有毒氣體，在空氣中的最高允許含量為29mg/m3。

報(bào)告目錄：
第 一章 三氟化氮產(chǎn)品概述
1.1 電子特種氣體——三氟化氮概述
1.2 三氟化氮的產(chǎn)業(yè)與市場(chǎng)簡(jiǎn)述
1.2.1三氟化氮的應(yīng)用領(lǐng)域
1.2.2三氟化氮的市場(chǎng)簡(jiǎn)況
1.2.3 三氟化氮的產(chǎn)業(yè)簡(jiǎn)況
1.3 三氟化氮行業(yè)的特點(diǎn)
1.3.1 行業(yè)興衰與半導(dǎo)體、光伏、液晶顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展有著關(guān)系密切
1.3.2 三氟化氮產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)得到發(fā)揮
1.3.3 市場(chǎng)壟斷性強(qiáng)
1.3.4 近年全球三氟化氮應(yīng)用市場(chǎng)在迅速擴(kuò)大
1.4 在當(dāng)前環(huán)境保護(hù)要求的形勢(shì)變化下三氟化氮產(chǎn)品趨勢(shì)預(yù)測(cè)成為變數(shù)
1.4.1 三氟化氮成為氣候變化新威脅UNFCC已將其列入“監(jiān)管”氣體之中
1.4.2 三氟化氮替代產(chǎn)品得到發(fā)展
 
第二章 電子特種氣體、氟化工品應(yīng)用市場(chǎng)
2.1 電子特種氣體概述
2.2 電子特種氣體制造中的主要技術(shù)方面
2.3 電子特種氣體的純凈度要求
2.4 電子特種氣體產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)問(wèn)題
2.4.1 對(duì)電子特種氣體雜質(zhì)、純度要求的問(wèn)題
2.4.2 氣體配送及供應(yīng)問(wèn)題
2.4.3 儲(chǔ)存、使用中的安全性問(wèn)題
2.4.4 成本性問(wèn)題
2.5 國(guó)內(nèi)外電子特種氣體行業(yè)發(fā)展概述
2.5.1 境外電子特種氣體生產(chǎn)與市場(chǎng)情況
2.5.2 國(guó)內(nèi)電子特種氣體行業(yè)及其發(fā)展
2.6 氟化工產(chǎn)業(yè)概述
2.6.1 氟化工產(chǎn)業(yè)中的重要產(chǎn)品
2.6.2 我國(guó)氟化工產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況
 
第三章 三氟化氮的主要特性
3.1 物理特性
3.2 毒性及危險(xiǎn)性
3.3 反應(yīng)性
3.4 相關(guān)的安全性
3.5 主要性能及標(biāo)準(zhǔn)
3.5.1 對(duì)純度的一般質(zhì)量指標(biāo)要求
3.5.2 美國(guó)氣體及化學(xué)產(chǎn)品公司的NF3的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及產(chǎn)品不同等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)要求
3.5.3 SEMI的三氟化氮標(biāo)準(zhǔn)
3.5.4 三氟化氮 我國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)（GB/T 21287-2011）
 
第四章 三氟化氮的主要生產(chǎn)工藝方法
4.1 NF3的制備方法
4.1.1 概述
4.1.2 直接化合法
4.1.3 氟和氟化氫銨法
4.1.5 電解法
4.2 NF3粗品純化工藝加工
4.2.1 NF3粗品純化工藝法的種類(lèi)
4.2.2 低溫精餾法
4.2.3 化學(xué)吸收法
4.2.4 化學(xué)轉(zhuǎn)化法
4.2.5 選擇吸附法
4.3 安全生產(chǎn)的問(wèn)題
4.4 在半導(dǎo)體晶元工廠(chǎng)的供應(yīng)系統(tǒng)
 
第五章 三氟化氮的主要應(yīng)用領(lǐng)域概述
5.1 概述
5.2 三氟化氮在集成電路中的應(yīng)用
5.2.1 集成電路芯片制程
5.2.2 化學(xué)氣相沉積和氣體應(yīng)用
5.3 作為清洗劑、刻蝕劑在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用
5.3.1 替代PFC作為清洗劑
5.3.2 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）
5.3.3 在PECVD的干刻蝕、清洗加工中的應(yīng)用
5.3 三氟化氮在液晶顯示器中的應(yīng)用
5.4 高純NF3在薄膜硅太陽(yáng)電池中的應(yīng)用
5.4.1 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池
5.4.2 Si薄膜的材料特性
5.4.3 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池制作工藝及高純硅烷其應(yīng)用
5.5 用三氟化氮作氟化劑
5.5.1 六氟化鎢的理化性質(zhì)及用途
5.5.2 NF3是制造WF6
5.5.3 世界WF6 的生產(chǎn)現(xiàn)況
5.5.4 國(guó)內(nèi)生產(chǎn)WF6的情況
5.6 三氟化氮作為氟源在化學(xué)激光器中應(yīng)用
5.7 NF3在IC和TFT-LCD應(yīng)用市場(chǎng)擴(kuò)展的三階段
5.8 NF3在不同應(yīng)用領(lǐng)域中應(yīng)用量的比例
 
第六章 世界及我國(guó)NF3的半導(dǎo)體市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)狀況分析與分析
6.1 世界半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)與市場(chǎng)發(fā)展
6.1.1 世界半導(dǎo)體生產(chǎn)的現(xiàn)況
6.1.2 世界半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)狀況
6.2 我國(guó)半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)與市場(chǎng)現(xiàn)況與發(fā)展
6.2.1 我國(guó)集成電路市場(chǎng)、產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
6.2.2 我國(guó)集成電路晶圓制造業(yè)情況
6.2.3 我國(guó)集成電路晶圓主要生產(chǎn)廠(chǎng)家情況
 
第七章 世界及我國(guó)NF3的液晶顯示器市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)狀況分析與分析
7.1 世界平板顯示器產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)況
7.2 我國(guó)平板顯示器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況與未來(lái)發(fā)展預(yù)測(cè)
7.2.1 我國(guó)液晶顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展概述
7.2.2 我國(guó)LCD面板生產(chǎn)現(xiàn)況與未來(lái)幾年發(fā)展預(yù)測(cè)
7.2.3 我國(guó)發(fā)展平板顯示產(chǎn)業(yè)的相關(guān)政策及未來(lái)發(fā)展的預(yù)測(cè)、分析
 
第八章 世界及我國(guó)NF3的薄膜硅太陽(yáng)電池市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)狀況分析與分析
8.1 國(guó)內(nèi)外光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展
8.1.1 世界光伏產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展
8.1.2 我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境與現(xiàn)況
8.2 薄膜太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)與市場(chǎng)
8.2.1 薄膜太陽(yáng)能電池特點(diǎn)及品種
8.2.2 薄膜太陽(yáng)能電池未來(lái)市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè)
8.2.3 薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)及在光伏市場(chǎng)上的份額變化
8.3 國(guó)內(nèi)外薄膜太陽(yáng)能電池的主要生產(chǎn)企業(yè)
8.3.1 境外薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)廠(chǎng)家概況
8.3.2 國(guó)內(nèi)薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)廠(chǎng)家概況
 
第九章 世界NF3的生產(chǎn)現(xiàn)狀與發(fā)展
9.1 概述
9.2 世界三氟化氮生產(chǎn)現(xiàn)況
9.3 美國(guó)的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠(chǎng)家
9.3.1 美國(guó)AP公司
9.3.2 杜邦公司
9.4 日本的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠(chǎng)家
9.4.1 關(guān)東電化工業(yè)公司
9.4.2 三井化學(xué)公司
9.4.3 中央玻璃公司
9.5 韓國(guó)的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠(chǎng)家
9.5.1 AP公司韓國(guó)蔚山分廠(chǎng)
9.5.2 韓國(guó)SODIFF新素材有限公司
9.6 臺(tái)灣的NF3生產(chǎn)現(xiàn)狀與廠(chǎng)家
 
第十章 我國(guó)國(guó)內(nèi)NF3的生產(chǎn)現(xiàn)狀與發(fā)展
10.1 國(guó)內(nèi)NF3生產(chǎn)的發(fā)展
10.2 國(guó)內(nèi)NF3生產(chǎn)需求市場(chǎng)
10.3 國(guó)內(nèi)NF3的主要生產(chǎn)廠(chǎng)家
10.3.1 國(guó)內(nèi)NF3的生產(chǎn)廠(chǎng)家概述
10.3.2 中核紅華特種氣體股份有限公司
10.3.3 湖北沙隆達(dá)天門(mén)農(nóng)化有限責(zé)任公司
10.3.4 中國(guó)船舶重工集團(tuán)第七一八研究所
10.3.5 其它廠(chǎng)家
10.4 國(guó)內(nèi)與NF3氣體相關(guān)的科研、協(xié)會(huì)機(jī)構(gòu)
附件：中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)：《電子工業(yè)用三氟化氮 》（GB/T21287-2011）
 
圖表目錄：
圖2-1 半導(dǎo)體制造業(yè)用特種氣體按其使用時(shí)的特性分類(lèi)情況
圖2-2 全球半導(dǎo)體工業(yè)用主要幾種高純度氣體的市場(chǎng)規(guī)模變化情況
圖2-3 氟化工產(chǎn)業(yè)鏈的構(gòu)成情況
圖3-1 NF3分子結(jié)構(gòu)圖
圖3-2 SEMI標(biāo)準(zhǔn)中NF3中 CF4、CO2、N2O、SF6和 CO 的分析流程圖
圖4-1 氣-固反應(yīng)器圖
圖4-2 氣-液反應(yīng)器圖
圖4-3 氣-液反應(yīng)法的生產(chǎn)流程圖
圖4-4 電解槽結(jié)構(gòu)圖
圖4-5 低溫精餾過(guò)程示意圖
圖4-6 色譜分離氣體流程圖
圖4-7 典型半導(dǎo)體晶元工廠(chǎng)的特氣供應(yīng)系統(tǒng)流程圖
圖5-1 三氟化氮的主要應(yīng)用領(lǐng)域
圖5-2 IC硅片制造前工程的過(guò)程
圖5-3 各種CVD法反應(yīng)裝置的原理
圖5-4 PECVD裝置
圖5-5 三氟化氮在半導(dǎo)體芯片加工制造環(huán)節(jié)中的應(yīng)用示意圖
圖5-6 TFT 陣列構(gòu)成
圖5-7 等離子體CVD加工工序及SiH4等電子特氣的供應(yīng)系統(tǒng)
圖5-8 所示了采用等離子體CVD法制作TFT陣列的實(shí)際裝備例
圖5-9 TFT 陣列形成過(guò)程及NF3在采用等離子體CVD法形成TFT 陣列形成中作用
圖5-10 Si基薄膜的種類(lèi)、特征及晶體結(jié)構(gòu)
圖5-11 Si基薄膜太陽(yáng)能電池的基本結(jié)構(gòu)
圖5-12 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池制作工藝過(guò)程
圖5-13 NF3不同應(yīng)用領(lǐng)域中應(yīng)用量的比例
圖6-1 2012-2017全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模和年增幅統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)
圖6-2 世界不同直徑尺寸硅片市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)
圖6-3 2012-2017年全球硅片出貨量變化率